描述
硅 VLSI 集成电路制造中使用技术的综述。晶体生长与晶体缺陷、氧化、扩散、离子注入与退火、淬取、化学气相沉积（CVD）、蚀刻、用于金属化与接触的材料、光刻。亚微米 MOSFET 所需的结构与制造技术。先进 CMOS 工艺中的应用。
先修课程
- 先修条件：注册 M.Eng.- Engineering Practice 项目。
条件与方式
- 先修条件：注册 M.Eng.- Engineering Practice 项目。
原文参考文本
Survey of technology used in silicon VLSI integrated circuit fabrication. Crystal growth and crystal defects, oxidation, diffusion, ion implantation and annealing, gettering, CVD, etching, materials for metallization and contacting, and photolithography. Structures and fabrication techniques required for submicron MOSFETs. Applications in advanced CMOS processes.
- Prerequisite(s): enrolment in the M.Eng.- Engineering Practice program.
来源与参考
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来源参考 : https://calendar.carleton.ca/grad/courses/EGEN/