Описание
Обзор технологий, используемых в производстве кремниевых интегральных схем VLSI. Рост кристаллов и дефекты кристаллической решётки, окисление, диффузия, ионизирующая имплантация и отжиг, gettering, CVD, травление, материалы для металлизации и контактов, фотолитография. Структуры и технологии изготовления, требуемые для субмикронных MOSFET. Применения в современных CMOS-процессах.
Предварительные требования
- Предварительное требование(я): зачисление в программу M.Eng. — Engineering Practice.
Условия и порядок
- Предварительное требование(я): зачисление в программу M.Eng. — Engineering Practice.
Текст источника на языке оригинала
Survey of technology used in silicon VLSI integrated circuit fabrication. Crystal growth and crystal defects, oxidation, diffusion, ion implantation and annealing, gettering, CVD, etching, materials for metallization and contacting, and photolithography. Structures and fabrication techniques required for submicron MOSFETs. Applications in advanced CMOS processes.
- Prerequisite(s): enrolment in the M.Eng.- Engineering Practice program.
Источники и ссылки
Даты и источники сохраняются, чтобы помочь вам проверить сведения. Переводы предлагаются для удобства чтения; официальным источником для условий и требований является оригинал.
Исходная ссылка : https://calendar.carleton.ca/grad/courses/EGEN/