Beskrivelse
Oversikt over teknologier brukt i silisium VLSI integrert kretsfremstilling. Krystallvekst og krystallfeil, oksidasjon, diffusjon, ion-implantasjon og annealing, gettering, CVD, etsning, materialer for metallisering og contacting, og fotolitografi. Strukturer og fremstillingsteknikker nødvendige for submikron MOSFET-er. Anvendelser i avanserte CMOS-prosesser.
Forkunnskaper
- Forutsetning(er): opptak i M.Eng.- Engineering Practice-programmet.
Vilkår og bestemmelser
- Forutsetning(er): opptak i M.Eng.- Engineering Practice-programmet.
Referansetekst i originalspråket
Survey of technology used in silicon VLSI integrated circuit fabrication. Crystal growth and crystal defects, oxidation, diffusion, ion implantation and annealing, gettering, CVD, etching, materials for metallization and contacting, and photolithography. Structures and fabrication techniques required for submicron MOSFETs. Applications in advanced CMOS processes.
- Prerequisite(s): enrolment in the M.Eng.- Engineering Practice program.
Kilder og referanser
Datoer og kilder beholdes for å hjelpe deg å verifisere opplysningene. Oversettelsene tilbys for å lette lesing; den offisielle kilden er referansen for krav og betingelser.
Kildereferanse : https://calendar.carleton.ca/grad/courses/EGEN/