Mô tả
Khảo sát công nghệ sử dụng trong chế tạo mạch tích hợp VLSI silicon. Tăng trưởng tinh thể và khuyết tật tinh thể, oxy hóa, khuếch tán, cấy ion và tôi, gettering, CVD, ăn mòn, vật liệu cho kim loại hóa và tiếp xúc, và quang khắc. Cấu trúc và kỹ thuật chế tạo cần thiết cho MOSFET cận micron. Ứng dụng trong quy trình CMOS tiên tiến.
Tiền đề
- Tiêu chuẩn tiên quyết: đăng ký trong chương trình M.Eng.- Engineering Practice.
Điều kiện và thủ tục
- Tiêu chuẩn tiên quyết: đăng ký trong chương trình M.Eng.- Engineering Practice.
Văn bản tham chiếu bằng ngôn ngữ gốc
Survey of technology used in silicon VLSI integrated circuit fabrication. Crystal growth and crystal defects, oxidation, diffusion, ion implantation and annealing, gettering, CVD, etching, materials for metallization and contacting, and photolithography. Structures and fabrication techniques required for submicron MOSFETs. Applications in advanced CMOS processes.
- Prerequisite(s): enrolment in the M.Eng.- Engineering Practice program.
Nguồn và tham khảo
Ngày và nguồn được giữ lại để giúp bạn kiểm tra thông tin. Các bản dịch được cung cấp để dễ đọc; nguồn chính thức là tham chiếu cho các điều kiện và yêu cầu.
Nguồn tham khảo : https://calendar.carleton.ca/grad/courses/EGEN/