説明
シリコンVLSI集積回路製造に使用される技術の概観。結晶成長と結晶欠陥、酸化、拡散、イオン注入とアニール、ゲッタリング、CVD、エッチング、メタライゼーションおよび接続のための材料、フォトリソグラフィ。サブミクロンMOSFETに必要な構造と製造技術。先進CMOSプロセスへの応用。
前提条件
- 受講条件：M.Eng. - Engineering Practice プログラムへの登録。
条件および詳細
- 受講条件：M.Eng. - Engineering Practice プログラムへの登録。
原語による参照テキスト
Survey of technology used in silicon VLSI integrated circuit fabrication. Crystal growth and crystal defects, oxidation, diffusion, ion implantation and annealing, gettering, CVD, etching, materials for metallization and contacting, and photolithography. Structures and fabrication techniques required for submicron MOSFETs. Applications in advanced CMOS processes.
- Prerequisite(s): enrolment in the M.Eng.- Engineering Practice program.
出典と参照
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出典の参照 : https://calendar.carleton.ca/grad/courses/EGEN/