Carleton University · EGEN 5308

집적회로 및 소자 기술

공식 명칭 : Integrated Circuit and Device Technology

학점 : 0.5 학점참고 기준 연도 : 2026-27

설명

실리콘 VLSI 집적회로 제조에 사용되는 기술 조사. 결정 성장 및 결정 결함, 산화, 확산, 이온 주입 및 어닐링, 게터링, CVD, 식각, 금속화 및 접촉을 위한 재료, 그리고 포토리소그래피. 서브마이크로 MOSFET에 필요한 구조 및 제조 기술. 첨단 CMOS 공정에서의 응용.

선수 과목

  • 전제조건: M.Eng.- Engineering Practice 프로그램 등록.

조건 및 세부사항

  • 전제조건: M.Eng.- Engineering Practice 프로그램 등록.
원문 참조 텍스트

Survey of technology used in silicon VLSI integrated circuit fabrication. Crystal growth and crystal defects, oxidation, diffusion, ion implantation and annealing, gettering, CVD, etching, materials for metallization and contacting, and photolithography. Structures and fabrication techniques required for submicron MOSFETs. Applications in advanced CMOS processes.

  • Prerequisite(s): enrolment in the M.Eng.- Engineering Practice program.

출처 및 참고문헌

날짜와 출처는 정보를 확인하는 데 도움이 되도록 보관됩니다. 번역은 읽기 편의를 위해 제공되며 조건과 요건은 공식 출처가 기준입니다.

출처 참조 : https://calendar.carleton.ca/grad/courses/EGEN/

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