Deskripsi
Survei teknologi yang digunakan dalam fabrikasi sirkuit terpadu VLSI berbasis silikon. Pertumbuhan kristal dan cacat kristal, oksidasi, difusi, implantasi ion dan annealing, gettering, CVD, etsa, material untuk metalisasi dan pengontakan, dan fotolitografi. Struktur dan teknik fabrikasi yang diperlukan untuk MOSFET submikron. Aplikasi dalam proses CMOS maju.
Prasyarat
- Prasyarat: pendaftaran dalam program M.Eng.- Engineering Practice.
Syarat dan ketentuan
- Prasyarat: pendaftaran dalam program M.Eng.- Engineering Practice.
Teks rujukan dalam bahasa aslinya
Survey of technology used in silicon VLSI integrated circuit fabrication. Crystal growth and crystal defects, oxidation, diffusion, ion implantation and annealing, gettering, CVD, etching, materials for metallization and contacting, and photolithography. Structures and fabrication techniques required for submicron MOSFETs. Applications in advanced CMOS processes.
- Prerequisite(s): enrolment in the M.Eng.- Engineering Practice program.
Sumber dan referensi
Tanggal dan sumber disimpan untuk membantu Anda memverifikasi informasi. Terjemahan disediakan untuk memudahkan pembacaan; sumber resmi menjadi rujukan untuk syarat dan ketentuan.
Referensi sumber : https://calendar.carleton.ca/grad/courses/EGEN/