Descripción
Panorama de la tecnología utilizada en la fabricación de circuitos integrados VLSI en silicio. Crecimiento de cristales y defectos cristalinos, oxidación, difusión, implantación iónica y recocido, gettering, CVD, grabado, materiales para metalización y contacto, y fotolitografía. Estructuras y técnicas de fabricación requeridas para MOSFETs submicrónicos. Aplicaciones en procesos CMOS avanzados.
Prerrequisitos
- Requisito(s): inscripción en el programa M.Eng.- Engineering Practice.
Condiciones y modalidades
- Requisito(s): inscripción en el programa M.Eng.- Engineering Practice.
Texto de referencia en su idioma de origen
Survey of technology used in silicon VLSI integrated circuit fabrication. Crystal growth and crystal defects, oxidation, diffusion, ion implantation and annealing, gettering, CVD, etching, materials for metallization and contacting, and photolithography. Structures and fabrication techniques required for submicron MOSFETs. Applications in advanced CMOS processes.
- Prerequisite(s): enrolment in the M.Eng.- Engineering Practice program.
Fuentes y referencias
Se conservan las fechas y las fuentes para ayudarle a verificar la información. Las traducciones se proponen para facilitar la lectura; la fuente oficial es la referencia para las condiciones y los requisitos.
Referencia de la fuente : https://calendar.carleton.ca/grad/courses/EGEN/