الوصف
مسح للتقنيات المستخدمة في تصنيع دوائر VLSI المتكاملة على السيليكون. نمو الكريستال وعيوب البلورة، الأكسدة، الانتشار، الغرس الأيوني والمعالجة الحرارية، التقاط الشوائب (gettering)، الترسيب الكيميائي للبخار (CVD)، النحت، المواد للتوصيل والاتصال، والتصوير الضوئي. البنى وتقنيات التصنيع المطلوبة لمصابيح MOSFET تحت الميكرون. التطبيقات في عمليات CMOS المتقدمة.
المقررات السابقة
- المتطلب(ات): الالتحاق ببرنامج M.Eng.- Engineering Practice.
الشروط والإجراءات
- المتطلب(ات): الالتحاق ببرنامج M.Eng.- Engineering Practice.
نص المرجع بلغته الأصلية
Survey of technology used in silicon VLSI integrated circuit fabrication. Crystal growth and crystal defects, oxidation, diffusion, ion implantation and annealing, gettering, CVD, etching, materials for metallization and contacting, and photolithography. Structures and fabrication techniques required for submicron MOSFETs. Applications in advanced CMOS processes.
- Prerequisite(s): enrolment in the M.Eng.- Engineering Practice program.
المصادر والمراجع
يتم الاحتفاظ بالتواريخ والمصادر لمساعدتك في التحقق من المعلومات. تُعرض ترجمات لتسهيل القراءة؛ المصدر الرسمي هو المرجع للشروط والمتطلبات.
مرجع المصدر : https://calendar.carleton.ca/grad/courses/EGEN/