คำอธิบาย
การสำรวจเทคโนโลยีที่ใช้ในการผลิตวงจรรวมซิลิกอน VLSI การเติบโตของผลึกและความบกพร่องของผลึก การออกซิเดชัน การแพร่ การฝังไอออนและการอบ การเก็ทเตอริง CVD การกัดกร่อน วัสดุสำหรับการทำเมทัลไลเซชันและการติดต่อ และโฟโตลิโธกราฟี โครงสร้างและเทคนิคการผลิตที่จำเป็นสำหรับ MOSFET ขนาดย่อยไมโคร การประยุกต์ใช้ในกระบวนการ CMOS ขั้นสูง
รายวิชาก่อนหน้า
- วิชาก่อนหน้า: ลงทะเบียนในโปรแกรม M.Eng.- Engineering Practice.
เงื่อนไขและข้อกำหนด
- วิชาก่อนหน้า: ลงทะเบียนในโปรแกรม M.Eng.- Engineering Practice.
ข้อความอ้างอิงในภาษาต้นฉบับ
Survey of technology used in silicon VLSI integrated circuit fabrication. Crystal growth and crystal defects, oxidation, diffusion, ion implantation and annealing, gettering, CVD, etching, materials for metallization and contacting, and photolithography. Structures and fabrication techniques required for submicron MOSFETs. Applications in advanced CMOS processes.
- Prerequisite(s): enrolment in the M.Eng.- Engineering Practice program.
แหล่งที่มาและอ้างอิง
วันที่และแหล่งที่มาถูกเก็บไว้เพื่อช่วยให้คุณตรวจสอบข้อมูล การแปลเสนอเพื่ออำนวยความสะดวกในการอ่าน แหล่งทางการเป็นที่อ้างอิงสำหรับเงื่อนไขและข้อกำหนด
แหล่งอ้างอิง : https://calendar.carleton.ca/grad/courses/EGEN/