Açıklama
Silikon VLSI entegre devre üretiminde kullanılan teknolojinin incelenmesi. Kristal büyümesi ve kristal kusurları, oksidasyon, difüzyon, iyon implantasyonu ve tavlama, gettering, CVD, aşındırma, metallizasyon ve temaslama için malzemeler ve fotolitografi. Submikron MOSFET'ler için gereken yapılar ve üretim teknikleri. İleri CMOS proseslerde uygulamalar.
Önkoşullar
- Önkoşul(lar): M.Eng.- Engineering Practice programına kayıt.
Şartlar ve koşullar
- Önkoşul(lar): M.Eng.- Engineering Practice programına kayıt.
Kaynak metin orijinal dilinde
Survey of technology used in silicon VLSI integrated circuit fabrication. Crystal growth and crystal defects, oxidation, diffusion, ion implantation and annealing, gettering, CVD, etching, materials for metallization and contacting, and photolithography. Structures and fabrication techniques required for submicron MOSFETs. Applications in advanced CMOS processes.
- Prerequisite(s): enrolment in the M.Eng.- Engineering Practice program.
Kaynaklar ve referanslar
Tarih ve kaynaklar bilgileri doğrulamanıza yardımcı olmak için saklanır. Okumayı kolaylaştırmak için çeviriler sunulmuştur; koşullar ve gereksinimler için resmi kaynak esas alınır.
Kaynak referans : https://calendar.carleton.ca/grad/courses/EGEN/