Hệ làm mát ngập kết hợp của Waterloo sử dụng giọt chất làm mát bọc để giảm điểm nóng chip tới 17°C trong 15s
Các nhà nghiên cứu tại University of Waterloo đã phát triển một phương pháp làm mát kết hợp ghép cặp việc ngập chung trong nước khử ion với các giọt chất làm mát có điểm sôi thấp được bọc. Trong thử nghiệm phòng thí nghiệm một giọt đơn đã hạ một điểm nóng mô phỏng trên chip tới 17°C trong 15 giây. Nhóm công bố kết quả trên Journal of Colloid and Interface Science và trình diễn một vỏ phủ silicone, gia cố bằng gốm để điều chỉnh sôi.
Dẫn đầu bởi Prof. Sushanta Mitra cùng Dr. Tian‑Yu Zhang và nghiên cứu sinh Tiến sĩ Arnav Banerjee, nhóm Waterloo dựa trên kỹ thuật bọc lỏng‑trong‑lỏng để giữ các giọt chất làm mát nặng, có điểm sôi thấp tại các điểm nóng thoáng qua trong khi nước quản lý nhiệt ổn định. Lớp silicone bọc, được tăng cường bằng các hạt gốm dẫn nhiệt, cho phép sôi có kiểm soát và loại bỏ nhiệt nhanh hơn thông qua khuấy bởi bong bóng. Họ đề xuất các hệ thống nơi các giọt hoặc tuần hoàn hoặc được phân phối bởi cảm biến, với các ứng dụng tiềm năng trong trung tâm dữ liệu AI, EVs, pin, laze và đèn LED công suất cao.
Đọc bài gốc · Université de Waterloo — nouvelles — https://uwaterloo.ca/news/media/waterloo-innovation-could-make-cooling-ai-data-centres