描述
MOS 体系基础；MOS 电容。长沟道行为：SPICE level 1 与 2 模型的理论、限制与性能。小尺寸效应。亚阈值操作与建模。热电子效应与可靠性。
原文参考文本
Fundamentals of the MOS system; MOS capacitors. Long channel behaviour: theory, limitations and performance of the SPICE level 1 and 2 models. Small geometry effects. Subthreshold operation and modeling. Hot electron effects and reliability.
来源与参考
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来源参考 : https://calendar.carleton.ca/grad/courses/ELEC/