Descripción
Fundamentos del sistema MOS; capacitores MOS. Comportamiento en canal largo: teoría, limitaciones y rendimiento de los modelos SPICE nivel 1 y 2. Efectos de geometría pequeña. Operación en subumbral y modelado. Efectos de electrones calientes y fiabilidad.
Texto de referencia en su idioma de origen
Fundamentals of the MOS system; MOS capacitors. Long channel behaviour: theory, limitations and performance of the SPICE level 1 and 2 models. Small geometry effects. Subthreshold operation and modeling. Hot electron effects and reliability.
Fuentes y referencias
Se conservan las fechas y las fuentes para ayudarle a verificar la información. Las traducciones se proponen para facilitar la lectura; la fuente oficial es la referencia para las condiciones y los requisitos.
Referencia de la fuente : https://calendar.carleton.ca/grad/courses/ELEC/