Carleton University · ELEC 5802

表面制御半導体デバイス

公式名称 : Surface-Controlled Semiconductor Devices

単位数 : 0.5 単位参照年 : 2026-27

説明

MOS系の基礎;MOSコンデンサ。長チャネル挙動:理論、SPICEレベル1および2モデルの限界と性能。小ジオメトリ効果。サブスレッショルド動作とモデリング。ホットエレクトロン効果と信頼性。

原語による参照テキスト

Fundamentals of the MOS system; MOS capacitors. Long channel behaviour: theory, limitations and performance of the SPICE level 1 and 2 models. Small geometry effects. Subthreshold operation and modeling. Hot electron effects and reliability.

    出典と参照

    日付と出典は、情報を確認する際の参考のために保持されています。翻訳は読みやすくするための提案であり、条件や要件については公式の出典が基準となります。

    出典の参照 : https://calendar.carleton.ca/grad/courses/ELEC/

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