Описание
Основы системы MOS; MOS-ёмкости. Поведение при больших длинах канала: теория, ограничения и характеристики моделей SPICE уровня 1 и 2. Эффекты малых геометрий. Работа и моделирование в субпороговой области. Эффекты горячих электронов и надёжность.
Текст источника на языке оригинала
Fundamentals of the MOS system; MOS capacitors. Long channel behaviour: theory, limitations and performance of the SPICE level 1 and 2 models. Small geometry effects. Subthreshold operation and modeling. Hot electron effects and reliability.
Источники и ссылки
Даты и источники сохраняются, чтобы помочь вам проверить сведения. Переводы предлагаются для удобства чтения; официальным источником для условий и требований является оригинал.
Исходная ссылка : https://calendar.carleton.ca/grad/courses/ELEC/