คำอธิบาย
พื้นฐานฟิสิกส์อุปกรณ์และการทำงานของชั้น pn, ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์ และ MOSFET. กระบวนการประมวลผลวงจรรวมพื้นฐานและการประยุกต์ใช้กับไดโอด, BJT และ MOSFET. ความสัมพันธ์ระหว่างกระบวนการ, โครงสร้าง, การทำงาน และการสร้างแบบจำลอง. การพิจารณาผลกระทบจากพาราซิติกและขนาดโครงสร้างเล็ก, ความน่าเชื่อถือและความแปรผันของกระบวนการ.
รายวิชาก่อนหน้า
- วิชาเตรียมความพร้อม: ELEC 2507 .
เงื่อนไขและข้อกำหนด
- ห้ามรับหน่วยกิตซ้ำ: ห้ามรับหน่วยกิตสำหรับ ELEC 4705.
- วิชาเตรียมความพร้อม: ELEC 2507 .
- บรรยายสามชั่วโมงต่อสัปดาห์, ปฏิบัติการและการวิเคราะห์ปัญหาสามชั่วโมงสลับสัปดาห์กัน.
ข้อความอ้างอิงในภาษาต้นฉบับ
Fundamentals of device physics and operation of the pn junction, bipolar transistor and MOSFET. Basic integrated circuit processing and application to diodes, BJTs and MOSFETs. Correlation between processing, structure, operation and modeling. Consideration of parasitic and small-geometry effects, reliability and process variation.
- Prerequisite(s): ELEC 2507 .
- Precludes additional credit for Precludes additional credit for ELEC 4705.
- Lectures three hours a week, laboratory and problem analysis three hours alternate weeks.
แหล่งที่มาและอ้างอิง
วันที่และแหล่งที่มาถูกเก็บไว้เพื่อช่วยให้คุณตรวจสอบข้อมูล การแปลเสนอเพื่ออำนวยความสะดวกในการอ่าน แหล่งทางการเป็นที่อ้างอิงสำหรับเงื่อนไขและข้อกำหนด
แหล่งอ้างอิง : https://calendar.carleton.ca/undergrad/courses/ELEC/