説明
pn 接合、バイポーラトランジスタおよびMOSFETのデバイス物理と動作の基礎。ダイオード、BJT、MOSFET に適用される基本的な集積回路プロセスとその応用。プロセス、構造、動作およびモデリング間の相関。寄生効果と微小寸法効果、信頼性およびプロセス変動の考察。
前提条件
- 前提条件: ELEC 2507 。
条件および詳細
- 追加単位の取得を認めない: ELEC 4705 。
- 前提条件: ELEC 2507 。
- 講義 週3時間、実験および問題解析 週3時間（隔週）。
原語による参照テキスト
Fundamentals of device physics and operation of the pn junction, bipolar transistor and MOSFET. Basic integrated circuit processing and application to diodes, BJTs and MOSFETs. Correlation between processing, structure, operation and modeling. Consideration of parasitic and small-geometry effects, reliability and process variation.
- Prerequisite(s): ELEC 2507 .
- Precludes additional credit for Precludes additional credit for ELEC 4705.
- Lectures three hours a week, laboratory and problem analysis three hours alternate weeks.
出典と参照
日付と出典は、情報を確認する際の参考のために保持されています。翻訳は読みやすくするための提案であり、条件や要件については公式の出典が基準となります。
出典の参照 : https://calendar.carleton.ca/undergrad/courses/ELEC/