Description
Notions fondamentales de la physique des dispositifs et fonctionnement de la jonction pn, du transistor bipolaire et du MOSFET. Processus de fabrication de circuits intégrés de base et application aux diodes, BJTs et MOSFETs. Corrélation entre le traitement, la structure, le fonctionnement et la modélisation. Prise en compte des effets parasites et de petite géométrie, de la fiabilité et des variations de procédé.
Préalables
- Prérequis : ELEC 2507 .
Conditions et modalités
- Empêche l'obtention d'un crédit additionnel pour Empêche l'obtention d'un crédit additionnel pour ELEC 4705.
- Prérequis : ELEC 2507 .
- Cours magistraux trois heures par semaine, laboratoire et analyse de problèmes trois heures aux semaines alternées.
Texte de référence dans sa langue d’origine
Fundamentals of device physics and operation of the pn junction, bipolar transistor and MOSFET. Basic integrated circuit processing and application to diodes, BJTs and MOSFETs. Correlation between processing, structure, operation and modeling. Consideration of parasitic and small-geometry effects, reliability and process variation.
- Prerequisite(s): ELEC 2507 .
- Precludes additional credit for Precludes additional credit for ELEC 4705.
- Lectures three hours a week, laboratory and problem analysis three hours alternate weeks.
Sources et références
Les dates et les sources sont conservées pour vous aider à vérifier les renseignements. Les traductions sont proposées pour faciliter la lecture; la source officielle fait référence pour les conditions et les exigences.
Référence source : https://calendar.carleton.ca/undergrad/courses/ELEC/