課程說明
矽 VLSI 積體電路製程技術概述。晶體生長與晶體缺陷、氧化、擴散、離子植入與退火、去雜質(gettering)、化學氣相沉積(CVD)、蝕刻、金屬化與接觸材料，以及光刻。次微米 MOSFET 之結構與製程技術。先進 CMOS 製程之應用。
原文參考文本
Survey of technology used in silicon VLSI integrated circuit fabrication. Crystal growth and crystal defects, oxidation, diffusion, ion implantation and annealing, gettering, CVD, etching, materials for metallization and contacting, and photolithography. Structures and fabrication techniques required for submicron MOSFETs. Applications in advanced CMOS processes.
來源與參考
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來源參考 : https://calendar.carleton.ca/grad/courses/ELEC/