Descrição
Levantamento da tecnologia usada na fabricação de circuitos integrados VLSI em silício. Crescimento de cristais e defeitos cristalinos, oxidação, difusão, implantação iônica e recozimento, gettering, CVD, gravação, materiais para metalização e contato, e fotolitografia. Estruturas e técnicas de fabricação exigidas para MOSFETs submicrônicos. Aplicações em processos CMOS avançados.
Texto de referência na sua língua de origem
Survey of technology used in silicon VLSI integrated circuit fabrication. Crystal growth and crystal defects, oxidation, diffusion, ion implantation and annealing, gettering, CVD, etching, materials for metallization and contacting, and photolithography. Structures and fabrication techniques required for submicron MOSFETs. Applications in advanced CMOS processes.
Fontes e referências
As datas e as fontes são mantidas para ajudá-lo a verificar os dados. As traduções são propostas para facilitar a leitura; a fonte oficial é a referência para condições e exigências.
Fonte de referência : https://calendar.carleton.ca/grad/courses/ELEC/