説明
電力用半導体素子：サイリスタ、GTO、IGBT、SiC、GaN。変換回路：制御された交流→直流整流器、チョッパ、直流→交流インバータ、交流電圧制御器。変換回路の保護。電気機器と電気機械的エネルギー変換装置の高効率制御への応用。
前提条件
- 前提条件: ELEC 2507 および ELEC 2602 。
条件および詳細
- 前提条件: ELEC 2507 および ELEC 2602 。
- 講義 週3時間、実験/問題解析 週3時間。
原語による参照テキスト
Power semiconductor devices: Thyristor, GTO, IGBT, SiC, GaN. Converter circuits: controlled AC to DC rectifiers, choppers, DC to AC inverters, AC voltage controllers. Protection of conversion circuits. Applications to high-efficiency control of electric machines and electromechanical energy conversion devices.
- Prerequisite(s): ELEC 2507 and ELEC 2602 .
- Lectures three hours per week, laboratories/problem analysis three hours per week.
出典と参照
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出典の参照 : https://calendar.carleton.ca/undergrad/courses/ELEC/