Description
Survol des technologies utilisées dans la fabrication de circuits intégrés en silicium VLSI. Croissance cristalline et défauts cristallins, oxydation, diffusion, implantation ionique et recuit, gettering, CVD, gravure, matériaux pour métallisation et contacts, et photolithographie. Structures et techniques de fabrication requises pour les MOSFETs submicroniques. Applications dans les procédés CMOS avancés.
Préalables
- Prérequis : inscription au programme M.Eng. - Engineering Practice.
Conditions et modalités
- Prérequis : inscription au programme M.Eng. - Engineering Practice.
Texte de référence dans sa langue d’origine
Survey of technology used in silicon VLSI integrated circuit fabrication. Crystal growth and crystal defects, oxidation, diffusion, ion implantation and annealing, gettering, CVD, etching, materials for metallization and contacting, and photolithography. Structures and fabrication techniques required for submicron MOSFETs. Applications in advanced CMOS processes.
- Prerequisite(s): enrolment in the M.Eng.- Engineering Practice program.
Sources et références
Les dates et les sources sont conservées pour vous aider à vérifier les renseignements. Les traductions sont proposées pour faciliter la lecture; la source officielle fait référence pour les conditions et les exigences.
Référence source : https://calendar.carleton.ca/grad/courses/EGEN/