Описание
Основы физики приборов и работы pn-перехода, биполярного транзистора и MOSFET. Базовая технология интегральных схем и применение к диодам, BJT и MOSFET. Корреляция между технологией, структурой, работой и моделированием. Рассмотрение паразитных и малогабаритных эффектов, надёжности и вариаций процесса.
Предварительные требования
- Предпосылка(и): ELEC 2507 .
Условия и порядок
- Исключает дополнительный зачет за Исключает дополнительный зачет за ELEC 4705.
- Предпосылка(и): ELEC 2507 .
- Лекции три часа в неделю, лаборатория и анализ задач три часа через неделю.
Текст источника на языке оригинала
Fundamentals of device physics and operation of the pn junction, bipolar transistor and MOSFET. Basic integrated circuit processing and application to diodes, BJTs and MOSFETs. Correlation between processing, structure, operation and modeling. Consideration of parasitic and small-geometry effects, reliability and process variation.
- Prerequisite(s): ELEC 2507 .
- Precludes additional credit for Precludes additional credit for ELEC 4705.
- Lectures three hours a week, laboratory and problem analysis three hours alternate weeks.
Источники и ссылки
Даты и источники сохраняются, чтобы помочь вам проверить сведения. Переводы предлагаются для удобства чтения; официальным источником для условий и требований является оригинал.
Исходная ссылка : https://calendar.carleton.ca/undergrad/courses/ELEC/