Carleton University · ELEC 5602

マイクロ波半導体デバイスと応用

公式名称 : Microwave Semiconductor Devices and Applications

単位数 : 0.5 単位参照年 : 2026-27

説明

マイクロ波用ダイオード(バラクタ、p-i-n、ガン、IMPATT)およびトランジスタ(BJT、MESFET、HBT、HEMT)の動作理論。CAD用の小信号、大信号、雑音モデル。ダイオード発振器および反射増幅器。トランジスタ発振器および増幅器の設計。技術/製造上の課題とMMIC応用の議論。

原語による参照テキスト

Theory of operation for microwave diodes (varactor, p-i-n, Gunn, IMPATT) and transistors (BJT, MESFET, HBT, HEMT). Small-signal, large-signal, and noise models for CAD. Diode oscillators and reflection amplifiers. Design of transistor oscillators and amplifiers. Discussion of technology/fabrication issues and MMIC applications.

    出典と参照

    日付と出典は、情報を確認する際の参考のために保持されています。翻訳は読みやすくするための提案であり、条件や要件については公式の出典が基準となります。

    出典の参照 : https://calendar.carleton.ca/grad/courses/ELEC/

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